LSI SandForce SF-2000 闪存存储处理(lǐ)器可(kě)加速业界最先进闪存介质的性能(néng),并使可(kě)靠性实现最大化

     北京2012年6月5日電(diàn) /美通社亚洲/ — 在2012台北國(guó)际電(diàn)脑展上,LSI公司(纽约证交所股票代码:LSI)宣布演示其备受赞誉的SandForce® SF-2000闪存存储处理(lǐ)器(FSP),该产品采用(yòng)Toshiba 19nm以及Intel  20nm NAND 闪存 — 目前SSD应用(yòng)中所使用(yòng)的最先进闪存技术。这些前沿的技术将于本周举行的2012年台北國(guó)际電(diàn)脑展上进行互动演示。
    LSI SandForce FSP 可(kě)為(wèi)NAND 闪存固态硬盘(SSD)提供同类最佳的性能(néng)、可(kě)靠性、耐用(yòng)性和功效。公司现有(yǒu)的产品证明,LSI不仅可(kě)以帮助SSD制造商(shāng)以更快的速度向市场推出成本更低的SSD产品,还可(kě)以加速闪存存储在云计算、企业和客户端应用(yòng)中的广泛普及。到2015年SSD产品在客户端和企业市场领域的出货量将超过1亿,与2011年相比出货量增長(cháng)56%。
    SSD目标分(fēn)析师Jim Handy 指出:“SSD用(yòng)户都希望从领先的闪存技术中获得巨大的成本优势,但大部分(fēn)SSD控制器都无法管理(lǐ)最先进和成本最低的闪存芯片的复杂性。通过支持最小(xiǎo)的NAND工艺,LSI将帮助OEM厂商(shāng)和终端用(yòng)户在云计算、企业和客户端等I/O密集型和基本数据存储应用(yòng)中部署最具成本效益的闪存存储处理(lǐ)器。”
    随着闪存存储器的尺寸不断缩小(xiǎo),引入最先进的错误校验功能(néng)已成為(wèi)当務(wù)之急。这是因為(wèi)独立单元已很(hěn)难维持一定荷质比,这会降低闪存器件的可(kě)靠性、数据完整性和数据保留特性。為(wèi)了优化19nm和20nm闪存存储的可(kě)靠性和耐用(yòng)性,LSI 的SandForce SF-2000 FSP在512字节扇區(qū)内可(kě)校正多(duō)达55位错误,也成為(wèi)业界首款可(kě)同时支持企业和客户端市场的处理(lǐ)器。LSI SandForce产品包括一个独特的纠错引擎,尽管当今和未来先进NAND闪存技术对闪存错误校验功能(néng)的要求不断变化和提高,但是该引擎凭借其独特的设计完全可(kě)以应对这些挑战。
    LSI 闪存组件部副总裁兼总经理(lǐ)Michael Raam 指出:“与6家NAND闪存技术领先制造商(shāng)开展合作,使我们能(néng)够针对不断缩小(xiǎo)的芯片尺寸对闪存处理(lǐ)器进行优化。SSD已经具备云计算和财富1000企业中关键任務(wù)型计算环境所需的卓越可(kě)靠性,使用(yòng)寿命和功效,并且随着用(yòng)户越来越认可(kě)这些属性,我们期望继续看到SSD技术被广泛采用(yòng)。”
     為(wèi)了满足客户对小(xiǎo)尺寸闪存器件的可(kě)靠性和耐用(yòng)性要求,LSI SandForce FSP 采用(yòng)了DuraClass® 高级NAND闪存管理(lǐ)技术。
DuraClass管理(lǐ)特性包括:
 DuraWrite™优化闪存的程序周期数量,有(yǒu)效地提高闪存耐用(yòng)性。
 RAISE™(独立芯片冗余阵列):驱动器可(kě)靠性得到大幅提高,可(kě)实现单驱动解决方案、RAID式的保护及恢复功能(néng)。
 高级耗损平衡和监视:最佳耗损平衡算法可(kě)进一步增强闪存耐用(yòng)性。
 反复循环器:智能(néng)地执行“垃圾收集”操作,清除无效数据,使闪存耐用(yòng)性影响最小(xiǎo)化。

发表评论